BSP89,115 与 BSP89 H6327 区别
| 型号 | BSP89,115 | BSP89 H6327 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BSP89,115 | A-BSP89 H6327 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 1.5W | - | ||||
| 宽度 | - | 3.5mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.2Ω | ||||
| 上升时间 | - | 3.5ns | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 240V | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 6.4nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 180mS | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 15.9ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT223 | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.375A | 350mA | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 系列 | - | BSP89 | ||||
| 长度 | - | 6.5mm | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 7500mΩ@4.5V,5000mΩ@10V | - | ||||
| 下降时间 | - | 18.4ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 4ns | ||||
| 高度 | - | 1.6mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 80 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP89,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
￥2.321
|
80 | 当前型号 | ||||||||
|
ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 200V 320mA(Ta) |
￥2.662
|
2,014 | 对比 | ||||||||
|
|
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 2.9A(Ta) |
￥4.103
|
2,000 | 对比 | ||||||||
|
ZVN4424GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±40V 2.5W(Ta) 5.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 240V 0.5A |
￥1.947
|
758 | 对比 | ||||||||
|
BSP89 H6327 | Infineon | 小信号MOSFET |
240V 350mA 4.2Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
|
SIHFL214-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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